Datasheet > IXFX100N25

IXFX100N25

更新时间： 2024-11-04 22:11:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	100K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFX100N25 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFX 100N25

IXFK 100N25

V_DSS= 250 V

I_D25= 100 A

R_DS(on)= 27 mΩ

Single MOSFET Die

t ≤ 250 ns

PLUS247^TM(IXFX)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

250

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D104

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

T_C= 104°C (External lead capability)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

100

400

100

TO-264AA(IXFK)

I_AR

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

Features

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

TO-264

0.9/6 Nm/lb.in.

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

DC choppers

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

250

2.0

AC motor control

Temperature and lighting controls

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±200 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

2 mA

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

27 mΩ

Space savings

High power density

98613B (5/01)

中文翻译

下载PDF

IXFX100N25 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH100N25P	IXYS	类似代替	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTQ100N25P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXFX100N25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX100N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFX120N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX120N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX120N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX120N25P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX120N25P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX120N30P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX120N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFX120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

与IXFX100N25相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFX100N25

IXFX100N25 数据手册

IXFX100N25 替代型号

与IXFX100N25相关器件

与IXFX100N25相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFX100N25

IXFX100N25 数据手册

IXFX100N25 替代型号

与IXFX100N25相关器件

与IXFX100N25相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？