IXFX120N25

更新时间： 2024-01-20 23:04:08

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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFX120N25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	700 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX120N25 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFX 120N25

IXFK 120N25

V_DSS= 250 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)= 22 mΩ

Single MOSFET Die

t ≤ 250 ns

PLUS247^TM(IXFX)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

250

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D104

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

T_C= 104°C (External lead capability)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

120

480

TO-264AA(IXFK)

I_AR

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

Features

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.7/6 Nm/lb.in.

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

DC choppers

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

250

2.0

AC motor control

Temperature and lighting controls

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±200 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

3 mA

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

22 mΩ

Space savings

High power density

98912 (2/02)

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IXFX120N25 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH110N25T	IXYS	类似代替	TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFX120N25P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH110N25T	IXYS	类似代替	TrenchHV Power MOSFET HiPerFET

与IXFX120N25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX120N25P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX120N25P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX120N30P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX120N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFX120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFX12N90Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFX12N90Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFX140N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFX140N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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