IXFV96N15P

更新时间： 2024-01-20 13:47:48

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	318K
描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET

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IXFV96N15P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	96 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFV96N15P 数据手册

PolarHT^TMHiPerFET

Power MOSFET

V_DSS= 150 V

I_D25= 96 A

R_DS(on)≤ 24 mΩ

IXFH 96N15P

IXFV 96N15P

IXFV 96N15PS

t_rr

≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Energy Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

150

PLUS220 (IXFV)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C=25° C

250

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

T_C=25° C

D (TAB)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

PLUS220SMD (IXFV__S)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤175° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C=25° C

480

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10s

300

260

°C

Features

F_C

Mounting force

Mounting torque

(PLUS220)

(TO-247)

11...65/2.4...11

N/lb

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

PLUS220

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

Easy to mount

Space savings

High power density

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

1000

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

24 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99208E(12/05)

12 3 4 5

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