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IXTT96N15P

更新时间： 2024-01-20 21:33:16

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5页	580K
描述
N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet

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IXTT96N15P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	96 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT96N15P 数据手册

IXTQ 96N15P

IXTT 96N15P

V_DSS

I_D25

= 150 V

= 96 A

PolarHT^TM

Power MOSFET

R_DS(on)= 24 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Preliminary Data Sheet

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

150

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

= 25°C

250

E^Cxternal lead current limit

(TAB)

= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T^C_C= 25°C

E_AR

E_AS

= 25°C

1.0

T^C_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C= 25°C

480

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

High power density

2.5

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 150°C

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

24 mΩ

DS99131C(05/04)

12 3 4 5

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IXTT96N15P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV96N15P	IXYS	类似代替	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFH96N15P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTQ96N15P	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet

与IXTT96N15P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode
IXTT96N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTU01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTU01N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTU01N100D	IXYS	获取价格	N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
IXTU01N100D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTU01N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTU02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTU02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTU05N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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