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IXTU2N80P PDF预览

IXTU2N80P

更新时间： 2024-01-29 04:03:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, TO-251, 3 PIN

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IXTU2N80P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTU2N80P 数据手册

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PolarHVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 800 V  
IXTA2N80P  
IXTP2N80P  
IXTU2N80P  
IXTY2N80P  
ID25  
=
2 A  
RDS(on)  
≤
6 Ω  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
(TAB)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
800  
800  
V
V
TO-220 (IXTP)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
2
4
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
(TAB)  
G
D
S
IAR  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
2
10  
100  
A
mJ  
mJ  
TO-251 (IXTU)  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 30 Ω  
,
5
V/ns  
G
D
S
TC = 25°C  
70  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
(TAB)  
TO-252 (IXTY)  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
G
Md  
Weight  
Mounting torque  
(TO-220)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
S
TO-220  
TO-263  
TO-252  
TO-251  
3
2.5  
g
g
g
g
(TAB)  
0.35  
0.4  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
Features  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 50 μA  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
800  
V
V
3.0  
5.5  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
50  
μA  
μA  
TJ = 125°C  
Advantages  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Note 1  
5.0  
6.0  
Ω
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
z
DS99595E(10/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
12345

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IXTU2N80P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTY2N80P IXYS

类似代替

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