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IXTU5N50P PDF预览

IXTU5N50P

更新时间： 2024-11-05 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 119K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTU5N50P 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-251包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：89 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTU5N50P 数据手册

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PolarHVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 500 V  
ID25 = 4.8 A  
RDS(on) ≤ 1.4 Ω  
IXTA 5N50P  
IXTP 5N50P  
IXTV 5N50P  
IXTY 5N50P  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
S
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
500  
500  
V
V
(TAB)  
TO-220 (IXTP)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
4.8  
10  
A
A
(TAB)  
G
D
IAR  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
5
20  
250  
A
mJ  
mJ  
S
TO-252 (IXTU)  
TO-252 (IXTY)  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 30 Ω  
,
10  
V/ns  
TC = 25°C  
89  
W
G
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
S
(TAB)  
G = Gate  
D = Drain  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
S = Source  
TAB = Drain  
Md  
Mounting torque  
(TO-220)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
TO-252  
4
3
0.8  
g
g
g
Features  
l
l
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
l
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 50 μA  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
500  
V
V
3.0  
5.5  
Advantages  
100  
nA  
l
Easy to mount  
Space savings  
l
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
50  
μA  
μA  
l
TJ = 125°C  
High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
1.4  
Ω
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99446E(04/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
12345

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IXTU5N50P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP5N50P IXYS

完全替代

 PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTA5N50P IXYS

完全替代

 PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTY5N50P IXYS

类似代替

 PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTU8N70X2 LITTELFUSE

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 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTV02N250S IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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