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IXTV230N085T PDF预览

IXTV230N085T

更新时间： 2024-11-05 21:17:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 286K
描述
Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS220, 3 PIN

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IXTV230N085T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：85 V最大漏极电流 (ID)：230 A
最大漏源导通电阻：0.0044 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：520 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTV230N085T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 85  
ID25 = 230  
RDS(on) ≤ 4.4 mΩ  
V
A
IXTV230N085T  
IXTV230N085TS  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
PLUS220 (IXTV)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
85  
85  
V
V
VGSM  
Transient  
20  
V
G
D
D (TAB)  
S
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC =25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
230  
75  
520  
A
A
A
PLUS220SMD (IXTV_S)  
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC =25°C  
40  
1.0  
A
J
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 3.3 Ω  
3
V/ns  
G
S
D (TAB)  
D = Drain  
TAB = Drain  
G = Gate  
S = Source  
TC =25°C  
550  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
FC  
Mounting force (PLUS220)  
11...65 /2.5...15  
3
N/lb.  
g
Weight  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Applications  
Automotive  
- Motor Drives  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
85  
V
V
2.0  
4.0  
- 42V Power Bus  
- ABS Systems  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
ꢀ
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
250  
µA  
µA  
Systems  
High Current Switching  
TJ = 150° C  
ꢀ
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 50 A, Notes 1, 2  
3.7  
4.4 mΩ  
Applications  
DS99705(11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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与IXTV230N085T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTV230N085TS IXYS

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 		MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD
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