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IXTV102N20T

更新时间： 2024-11-05 20:08:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV102N20T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	102 A
最大漏源导通电阻：	0.023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV102N20T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchHV^TM

Power MOSFET

IXTH102N20T

IXTQ102N20T

IXTV102N20T

V_DSS= 200

I_D25= 102

R_DS(on)≤ 23 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_GSM

T_J= 25°C to 175°C

Transient

200

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

102

250

(TAB)

I_AS

E_AS

T_C= 25°C

1.2

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/ms, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 2.5 Ω

V/ns

T_C= 25°C

750

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

PLUS220 (IXTV)

M_d

Mounting torque (TO-247 & TO-3P)

Mounting force (PLUS220)

1.13 / 10 Nm/lb.in.

F_C

11..65 / 2.5..14.6

N/lb.

(TAB)

Weight

TO-247

TO-3P

PLUS220

5.5

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

200

Features

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

2.5

4.5

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^z175 °C Operating Temperature

± 200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 150°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Notes 1, 2

23 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99821 (04/07)

12 3 4 5

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IXTV102N20T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV96N20P	IXYS	类似代替	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFH96N20P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXTV102N20T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTV110N25TS	IXYS	获取价格	TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV18N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV18N60PS	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV200N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTV200N10TS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTV22N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTV22N50PS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTV22N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTV22N60PS	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTV230N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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