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IXTV102N20T

更新时间： 2024-01-08 16:51:50

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV102N20T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	102 A
最大漏源导通电阻：	0.023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV102N20T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchHV^TM

Power MOSFET

IXTH102N20T

IXTQ102N20T

IXTV102N20T

V_DSS= 200

I_D25= 102

R_DS(on)≤ 23 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_GSM

T_J= 25°C to 175°C

Transient

200

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

102

250

(TAB)

I_AS

E_AS

T_C= 25°C

1.2

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/ms, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 2.5 Ω

V/ns

T_C= 25°C

750

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

PLUS220 (IXTV)

M_d

Mounting torque (TO-247 & TO-3P)

Mounting force (PLUS220)

1.13 / 10 Nm/lb.in.

F_C

11..65 / 2.5..14.6

N/lb.

(TAB)

Weight

TO-247

TO-3P

PLUS220

5.5

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

200

Features

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

2.5

4.5

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^z175 °C Operating Temperature

± 200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 150°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Notes 1, 2

23 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99821 (04/07)

12 3 4 5

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