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IXTV102N20T PDF预览

IXTV102N20T

更新时间： 2024-02-14 13:37:36
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV102N20T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：102 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：250 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTV102N20T 数据手册

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IXTH102N20T IXTQ102N20T IXTV102N20T  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
TO-247AD Outline  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
gfs  
VDS= 10 V; ID = 0.5 ID25, Note 1  
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz  
55  
92  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
6800  
722  
pF  
pF  
pF  
1
2
3
126  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Resistive Switching Times  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25  
RG = 2.5 Ω (External)  
19  
26  
50  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
Terminals: 1 - Gate  
3 - Source  
2 - Drain  
Tab - Drain  
Qg(on)  
Qgs  
114  
34  
nC  
nC  
nC  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max.  
Inches  
Min. Max.  
VGS= 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 25 A  
A
A1  
A2  
4.7  
2.2  
2.2  
5.3  
2.54  
2.6  
.185 .209  
.087 .102  
.059 .098  
Qgd  
31  
RthJC  
RthCS  
0.20 °C/W  
°C/W  
b
b1  
b2  
1.0  
1.65  
2.87  
1.4  
2.13  
3.12  
.040 .055  
.065 .084  
.113 .123  
0.25  
C
D
E
.4  
.8  
.016 .031  
.819 .845  
.610 .640  
Source-Drain Diode  
20.80 21.46  
15.75 16.26  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
e
L
L1  
5.20  
19.81 20.32  
4.50  
5.72 0.205 0.225  
TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
102  
330  
1.2  
.780 .800  
.177  
IS  
VGS = 0 V  
A
A
ÆP 3.55  
Q
3.65  
.140 .144  
5.89  
6.40 0.232 0.252  
R
S
4.32  
6.15 BSC  
5.49  
.170 .216  
242 BSC  
ISM  
VSD  
trr  
Pulse width limited by TJM  
IF = 50 A, VGS = 0 V, Note 1  
V
TO-3P (IXTQ) Outline  
IF = 50 A, -di/dt = 100 A/μs  
130  
ns  
VR = 50 V, VGS = 0 V  
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle, d ≤ 2 %;  
2. On through-hole packages, RDS(on) Kelvin test contact  
location must be 5 mm or less from the package body.  
PLUS220 (IXTV) Outline  
Pins: 1 - Gate  
2 - Drain  
3 - Source 4, TAB - Drain  
PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATION  
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered  
are derived from data gathered during objective characterizations of preliminary engineer-  
ing lots; but also may yet contain some information supplied during a pre-production  
design evaluation. IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimen-  
sions without notice.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered  
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508  
4,881,106 5,034,796  
4,835,592 4,931,844  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,381,025  
5,486,715  
6,162,665  
6,259,123 B1  
6,306,728 B1  
6,404,065 B1 6,683,344  
6,727,585  
7,005,734 B2 7,157,338B2  
7,063,975 B2  
6,534,343  
6,583,505  
6,710,405 B2 6,759,692  
6,710,463  
6,771,478 B2 7,071,537  
12345

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