5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTV110N25TS
IXTV110N25TS PDF预览

IXTV110N25TS

更新时间： 2024-11-05 12:27:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 210K
描述
TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTV110N25TS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 A
最大漏极电流 (ID)：110 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：694 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTV110N25TS 数据手册

 浏览型号IXTV110N25TS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTV110N25TS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTV110N25TS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTV110N25TS的Datasheet PDF文件第5页 
TrenchTM  
Power MOSFETs  
VDSS = 250V  
ID25 = 110A  
RDS(on) ≤ 24mΩ  
IXTH110N25T  
IXTV110N25TS  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
TO-247 (IXTH)  
G
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D
D (Tab)  
S
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
250  
250  
V
V
VDGR  
PLUS220SMD(IXTV_S)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
ID25  
IL(RMS)  
TC = 25°C  
External Lead Current Limit  
110  
75  
A
A
G
S
IDM  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
300  
A
D (Tab)  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
1
A
J
PD  
TC = 25°C  
694  
W
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
dv/dt  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
10  
V/ns  
TJ  
-55 to +150  
+150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 to +150  
Features  
TL  
1.6mm (0.063in) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
TSOLD  
z
z
z
z
Md  
Mounting Torque (to-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
High Current Handling Capability  
Fast Intrinsic Rectifier  
Low RDS(on)  
FC  
Mounting force (PLUS220SMD)  
11..65/2.5..14.6  
Weight  
TO-247  
PLUS220SMD  
6
4
g
g
Advantages  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
250  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
5.0  
±200 nA  
μA  
V
Applications  
IDSS  
5
z
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC Choppers  
AC Motor Drives  
Uninterruptible Power Supplies  
z
TJ = 125°C  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Notes 1, 2  
250 μA  
24 mΩ  
z
RDS(on)  
z
z
z
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS99904B(05/12)  
12345

中文翻译

下载PDF

IXTV110N25TS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTH110N25T IXYS

类似代替

 TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFH110N25T IXYS

类似代替

 TrenchHV Power MOSFET HiPerFET
IXTK120N25P IXYS

功能相似

 PolarHT Power MOSFET

与IXTV110N25TS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTV18N60P IXYS

获取价格

 		PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV18N60PS IXYS

获取价格

 		PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV200N10T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTV200N10TS IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTV22N50P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTV22N50PS IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTV22N60P IXYS

获取价格

 		PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTV22N60PS IXYS

获取价格

 		PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTV230N085T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTV230N085TS IXYS

获取价格

 		MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD

与IXTV110N25TS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证