Datasheet > IXTV22N60PS

IXTV22N60PS

更新时间： 2024-01-09 00:17:18

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	320K
描述
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTV22N60PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	66 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTV22N60PS 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTQ 22N60P

IXTV 22N60P

IXTV 22N60PS

V_DSS

I_D25

R_DS

= 600

= 22

≤ 350 mΩ

(on)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Tranisent

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

PLUS220 (IXTV)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

400

PLUS220SMD (IXTV_S)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting torque

Mounting force

(TO-3P)

(PLUS 220)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

11...65/2.5...15

N/lb

Weight

TO-3P

5.0

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

PLUS220 & PLUS220SMD

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

Low package inductance

- easy to drive and to protect

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Advantages

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

350 mΩ

High power density

DS99250E(12/05)

12 3 4 5

下载PDF

与IXTV22N60PS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTV230N085T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IXTV230N085TS	IXYS	MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD	获取价格
IXTV250N075T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTV250N075TS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTV26N50P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV26N50P	LITTELFUSE	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTV22N60PS

IXTV22N60PS 技术参数

IXTV22N60PS 数据手册

与IXTV22N60PS相关器件

与IXTV22N60PS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTV22N60PS

IXTV22N60PS 技术参数

IXTV22N60PS 数据手册

与IXTV22N60PS相关器件

与IXTV22N60PS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？