是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (ID): | 280 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0032 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 600 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXTV280N055TS | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 55V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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IXTV30N50P | IXYS | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTV30N50PS | IXYS | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTV30N60P | IXYS | PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTV30N60PS | IXYS | PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTV36N50P | IXYS | PolarHV Power MOSFET |
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