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IXTV102N20T

更新时间： 2024-01-10 16:18:52

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV102N20T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	102 A
最大漏源导通电阻：	0.023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV102N20T 数据手册

IXTH102N20T IXTQ102N20T IXTV102N20T

Fig. 1. Output Characteristics

@ 25ºC

Fig. 2. Extended Output Characteristics

@ 25ºC

110

100

240

= 10V

220

200

180

160

140

120

100

0.2 0.4 0.6 0.8

1.2 1.4 1.6 1.8

2.2

V_DS- Volts

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 51A Value

vs. Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics

@ 150ºC

110

100

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

= 10V

= 102A

= 51A

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

-50

-25

100

125

150

175

T_J- Degrees Centigrade

V_DS- Volts

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to I_D= 51A Value

vs. Drain Current

Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

External Lead Current Limit

= 10V

T = 175ºC

T = 25ºC

-50

-25

100

125

150

175

100 120 140 160 180 200

I_D- Amperes

T_C- Degrees Centigrade

1 234 5

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