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IXTV102N20T

更新时间： 2024-01-15 11:43:18

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV102N20T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	102 A
最大漏源导通电阻：	0.023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV102N20T 数据手册

IXTH102N20T IXTQ102N20T IXTV102N20T

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

180

160

140

120

100

160

= - 40ºC

140

120

100

25ºC

150ºC

= 150ºC

25ºC

- 40ºC

3.4

0.4

3.8

4.2

4.6

5.4

5.8

6.2

6.6

100 120 140 160 180 200

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

300

250

200

150

100

= 100V

= 25A

= 10mA

= 150ºC

= 25ºC

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

1.3

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

Q_G- NanoCoulombs

V_SD- Volts

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

10,000

1,000

100

1.00

0.10

0.01

iss

f = 1 MHz

oss

rss

0.0001

0.001

0.01

0.1

V_DS- Volts

Pulse Width - Seconds

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

1 2 345

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