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IXTV102N20T

更新时间： 2024-02-24 05:17:21
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN

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IXTV102N20T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：102 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：250 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTV102N20T 数据手册

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IXTH102N20T IXTQ102N20T IXTV102N20T  
Fig. 13. Resistive Turn-on  
Fig. 14. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Junction Temperature  
Rise Time vs. Drain Current  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
27  
R
V
V
= 2.5  
Ω
G
= 15V  
26  
GS  
DS  
= 100V  
T = 25ºC  
J
R
V
V
= 2.5  
Ω
G
= 15V  
25  
24  
23  
22  
21  
GS  
DS  
= 100V  
I
= 102A  
D
I
= 51A  
D
T = 125ºC  
J
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105 115 125  
50  
55  
60  
65  
70  
75  
80  
85  
90  
95 100 105  
TJ - Degrees Centigrade  
ID - Amperes  
Fig. 15. Resistive Turn-on  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 16. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Junction Temperature  
34  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
26  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
t r  
td(on) - - - -  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
32  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
TJ = 125ºC, V = 15V  
GS  
V
= 100V  
DS  
I
= 51A  
D
I
= 102A, 51A  
D
I
= 102A  
D
t f  
R
td(off)  
- - - -  
= 2.5 , V = 15V  
Ω
G
GS  
V
= 100V  
DS  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95 105 115 125  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 18. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 17. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Drain Current  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
70  
67  
64  
61  
58  
55  
52  
49  
46  
43  
40  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
160  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
t f  
R
V
td(off) - - - -  
t f  
td(off)  
- - - -  
TJ = 125ºC  
= 2.5  
, VGS = 15V  
Ω
G
T = 125ºC, VGS = 15V  
J
DS = 100V  
V
DS = 100V  
T = 25ºC  
J
I
= 51A, 102A  
D
80  
T = 25ºC  
J
70  
60  
50  
TJ = 125ºC  
40  
50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105  
ID - Amperes  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
RG - Ohms  
IXYS REF: T_102N20T (7W) 4-13-07-A.xls  
© 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
12345

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