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IXTU4N60P PDF预览

IXTU4N60P

更新时间： 2024-11-05 20:10:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 838K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, TO-251, 3 PIN

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IXTU4N60P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.39其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTU4N60P 数据手册

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PolarTM  
Power MOSFET  
IXTU4N60P  
IXTY4N60P  
IXTA4N60P  
IXTP4N60P  
VDSS = 600V  
ID25 = 4A  
RDS(on) 2  
TO-251 (IXTU)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
G
D
S
D (Tab)  
TO-252 (IXTY)  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
D (Tab)  
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
TO-263 (IXTA)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
4
A
A
D (Tab)  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
10  
TO-220 (IXTP)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
4
A
OBSOLETE  
EAS  
150  
mJ  
IXTY4N60P  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
10  
V/ns  
W
G
D
D (Tab)  
S
90  
IXTA4N60P  
TJ  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
IXTP4N60P  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
International Standard Packages  
Low QG  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263 & TO-251)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-251  
TO-252  
TO-263  
TO-220  
0.40  
0.35  
2.50  
3.00  
g
g
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 100μA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
600  
V
V
Applications  
3.0  
5.5  
DC-DC Converters  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
100 nA  
A  
Power Supplies  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
1
TJ = 125C  
50 A  
Discharge Circiuts in Lasers, Spark  
Igniters, RF Generators  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
2
  
High Voltage Pulse Power  
Applications  
DS99423F(6/17)  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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