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IXTP2N80P

更新时间： 2024-01-24 13:45:44

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXTP2N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP2N80P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 800 V

IXTA2N80P

IXTP2N80P

IXTU2N80P

IXTY2N80P

I_D25

2 A

R_DS(on)

≤

6 Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

800

TO-220 (IXTP)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

100

TO-251 (IXTU)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 30 Ω

V/ns

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

TO-252 (IXTY)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Weight

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-220

TO-263

TO-252

TO-251

2.5

(TAB)

0.35

0.4

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 50 μA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

5.0

6.0

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99595E(10/06)

12 3 4 5

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IXTP2N80P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP2N80	IXYS	类似代替	High Voltage MOSFET
IXTY2N80P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

与IXTP2N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP2N95	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2N95A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2N95A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2R4N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP2R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP2R4N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP300N04T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP30N08MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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