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IXTU1N80P

更新时间： 2024-09-29 21:20:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	161K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTU1N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	14 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTU1N80P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower

MOSFET

V_DSS= 800V

I_D25= 1A

R_DS(on)≤ 14Ω

IXTA1N80P

IXTP1N80P

IXTU1N80P

IXTY1N80P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

TO-220 (IXTP)

TO-251 (IXTU)

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-252 (IXTY)

T_J= 25°C to 150°C

800

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

Features

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

^zLow Package Inductance

T_L

1.6mm (0.062) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

T_SOLD

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

M_d

Mounting Torque

(TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-252

TO-251

2.50

3.00

0.35

0.40

Applications

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zDC-DC Converters

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

800

2.0

Typ.

Max.

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

4.0

±100 nA

μA

30 μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

DS100112(02/09)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTU4N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTU4N70X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTU5N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTU8N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTV02N250S	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTV102N20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTV110N25TS	IXYS	获取价格	TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV18N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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