Datasheet > IXTU02N50D

IXTU02N50D

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
4页	233K
描述
与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件可以保持在零栅偏压或更高的栅偏压，但同时具有与类似的MOSFET相似的特性。此类产品适用于电平移动、固态

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTU02N50D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTU02N50D 数据手册

High Voltage

Power MOSFET

V_DSX= 500V

I_D25= 200mA

IXTY02N50D

IXTU02N50D

IXTP02N50D

R_DS(on) 30

N-Channel

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-251 (IXTU)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

500

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_J

200

800

TO-220AB (IXTP)

P_D

T_C= 25C

T_A= 25C

1.1

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

D (Tab)

= Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-252

TO-251

TO-220

0.35

0.40

3.00

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Low R_DS(on)HDMOS^TMProcess

• Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

• Fast Switching Speed

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= -10V, I_D= 25A

V_DS= 25V, I_D= 25A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= -10V

500

Advantages

- 2.5

- 5.0

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

100 nA

I_DSX(off)

10 A

T_J= 125C

250 A

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 50mA, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

30 

• Level Shifting

• Triggers

250

• Solid State Relays

• Current Regulators

DS98861C(5/17)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXTU02N50D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTU05N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTU05N100	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTU12N06T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTU12N06T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTU1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTU1N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTU1R4N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTU2N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTU4N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTU4N70X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXTU02N50D相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTU02N50D

IXTU02N50D 技术参数

IXTU02N50D 数据手册

与IXTU02N50D相关器件

与IXTU02N50D相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTU02N50D

IXTU02N50D 技术参数

IXTU02N50D 数据手册

与IXTU02N50D相关器件

与IXTU02N50D相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？