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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 80 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.1 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.4 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTU01N100D | IXYS |
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N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET |
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| IXTU01N100D | LITTELFUSE |
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与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件 |
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| IXTU01N80 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTU02N50D | IXYS |
获取价格 |
High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode |
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| IXTU02N50D | LITTELFUSE |
获取价格 |
与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件 |
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| IXTU05N100 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTU05N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTU12N06T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTU12N06T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTU1N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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