Datasheet > IXTU01N100

IXTU01N100

更新时间： 2024-09-28 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关调节器
页数	文件大小	规格书
5页	177K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTU01N100 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

IXTU01N100 数据手册

V_DSS= 1000V

I_D25= 100mA

R_DS(on) 80

IXTU01N100

IXTY01N100

High Voltage

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

TO-251

(IXTU)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

TO-252

(IXTY)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

100

400

D (Tab)

= Drain

P_D

T_C= 25C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

Mounting force

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-251

TO-252

0.40

0.35



International Standard Packages

Fast Switching Times

Avalanche Rated

R_ds(on)HDMOS^TMProcess

Rugged Polysilicon Gate Cell structure



Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

High Power Density

Space Savings



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 25A

V_DS= V_GS, I_D= 25A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5



Level Shifting

Triggers

Solid State Relays

Current Regulators

50 nA



I_DSS

10 A

200 A



T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50mA, Note 1



DS98812E(9/17)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTU01N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTU01N100D	IXYS	获取价格	N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
IXTU01N100D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTU01N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTU02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTU02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTU05N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTU05N100	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTU12N06T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTU12N06T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTU1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-