Datasheet > IXTU05N100

IXTU05N100

更新时间： 2024-11-05 21:21:03

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	159K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTU05N100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Base Number Matches：	1

IXTU05N100 数据手册

V_DSS= 1000V

I_D25= 750mA

R_DS(on) 17

IXTU05N100

IXTY05N100

High Voltage

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-251

(IXTU)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

TO-252

(IXTY)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

750

D (TAB)

= Drain

I_A

T_C= 25C

100

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

E_AS

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J150C

V/ns

P_D

T_C= 25C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Fast Switching Times

Avalanche Rated

R_ds(on)HDMOS^TMProcess

Rugged Polysilicon Gate Cell structure

Extended FBSOA



F_C

Mounting force

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-251

TO-252

0.40

0.35

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.5

Typ.

Max.

High Power Density

Space Savings



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

Applications

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

I_DSS

25 A

500 A

Power Supplies

Flyback Inverters

DC Choppers



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 375mA, Note 1



DS100102B(9/17)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTU05N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTU12N06T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTU12N06T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTU1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTU1N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTU1R4N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTU2N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTU4N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTU4N70X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTU5N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTU8N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

与IXTU05N100相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTU05N100

IXTU05N100 技术参数

IXTU05N100 数据手册

与IXTU05N100相关器件

与IXTU05N100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTU05N100

IXTU05N100 技术参数

IXTU05N100 数据手册

与IXTU05N100相关器件

与IXTU05N100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？