IXFV96N15PS

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	318K
描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFV96N15PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	96 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFV96N15PS 数据手册

PolarHT^TMHiPerFET

Power MOSFET

V_DSS= 150 V

I_D25= 96 A

R_DS(on)≤ 24 mΩ

IXFH 96N15P

IXFV 96N15P

IXFV 96N15PS

t_rr

≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Energy Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

150

PLUS220 (IXFV)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C=25° C

250

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

T_C=25° C

D (TAB)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

PLUS220SMD (IXFV__S)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤175° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C=25° C

480

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10s

300

260

°C

Features

F_C

Mounting force

Mounting torque

(PLUS220)

(TO-247)

11...65/2.4...11

N/lb

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

PLUS220

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

Easy to mount

Space savings

High power density

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

1000

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

24 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99208E(12/05)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFV96N15PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH96N15P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTT96N15P	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTQ96N15P	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet

与IXFV96N15PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFV96N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV96N20PS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFX100N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX100N25	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX100N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFX120N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX120N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX120N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX120N25P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX120N25P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

与IXFV96N15PS相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV96N15PS

IXFV96N15PS 技术参数

IXFV96N15PS 数据手册

IXFV96N15PS 替代型号

与IXFV96N15PS相关器件

与IXFV96N15PS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV96N15PS

IXFV96N15PS 技术参数

IXFV96N15PS 数据手册

IXFV96N15PS 替代型号

与IXFV96N15PS相关器件

与IXFV96N15PS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？