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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, PLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.34 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 140 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 140 A | 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1040 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTK140N30P | IXYS |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 300V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXFK140N30P | IXYS |
功能相似 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFX14N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFX150N15 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFX150N15 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFX150N30P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFX150N30P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFX15N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFX160N30T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFX160N30T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFX16N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFX16N90Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 900V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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