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IXFX170N20P

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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5页	142K
描述
Polar Power MOSFET HiperFET

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IXFX170N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A	最大漏极电流 (ID)：	170 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX170N20P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

HiperFET^TM

IXFK170N20P

IXFX170N20P

V_DSS= 200V

I_D25= 170A

R_DS(on)≤ 14mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

V_DGR

PLUS247 (IXFX)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

T_C= 25°C

170

I_LRMS

I_DM

Leads Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

400

(TAB)

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

= Drain

E_AS

S = Source

TAB = Drain

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

1250

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

• Fast intrinsic diode

• Avalanche Rated

• Low R_DS(ON)and Q_G

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

• Low package inductance

M_d

Mounting force

Mounting torque

(PLUS247)

(TO-264)

20..120/4.5..27

N/lb.

Nm/lb.in.

Advantages

1.13/10

• Low gate charge results in simple

drive requirement

• High power density

Weight

PLUS247

TO-264

Applications

• DC-DC coverters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

200

3.0

• DC choppers

• AC and DC motor control

• Uninterrupted power supplies

• High speed power switching

applications

5.0

±200 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

1 mA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

14 mΩ

DS100008(7/08)

12 3 4 5

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IXFX170N20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK160N20	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 200V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFK170N20P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiperFET

与IXFX170N20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX170N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFX170N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX1806	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 500V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFX180N07	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX180N07	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX180N085	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX180N10	IXYS	获取价格	Single MOSFET Die
IXFX180N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
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