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IXFX230N20T

更新时间： 2024-11-02 11:14:07

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IXYS		/
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5页	138K
描述
GigaMOS Power MOSFET

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IXFX230N20T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.46
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	230 A
最大漏极电流 (ID)：	230 A	最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1670 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	630 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX230N20T 数据手册

Advance Technical Information

GigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 230A

R_DS(on)≤ 7.5mΩ

IXFK230N20T

IXFX230N20T

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

230

160

630

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

(TAB)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

1670

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zAvalanche Rated

20..120 /4.5..27

Low R_DS(on)

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

^zSynchronous Recification

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

2.5

5.0

± 200 nA

I_DSS

50 µA

3 mA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

7.5 mΩ

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100133(03/09)

12 3 4 5

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IXFX230N20T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK230N20T	LITTELFUSE	功能相似	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK230N20T	IXYS	功能相似	GigaMOS Power MOSFET

与IXFX230N20T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFX240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFX240N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX240N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX24N100	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFX24N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX24N100F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFX24N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX24N100Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFX24N120Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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