IXFX24N100

更新时间： 2024-11-02 03:14:35

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	137K
描述
HiPerFETTM Power MOSFETs

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IXFX24N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.39 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	560 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX24N100 数据手册

HiPerFET^TM

IXFK 24N100

IXFX 24N100

V_DSS= 1000 V

I_D25

24 A

Power MOSFETs

R_DS(on)= 0.39 Ω

Single MOSFET Die

t_rr≤ 250 ns

PLUS247^TM

(IXFX)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

1000

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

T^C= 25°C, Note 1

TO-264AA(IXFK)

T^C_C= 25°C

E_AR

E_AS

= 25°C

T^C_C= 25°C

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

560

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T^JM

-55 ... +150

300

International standard packages

T_L^stg

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

Mounting torque

TO-264

0.9/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

Switched-mode and resonant-mode

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

power supplies

min. typ. max.

DC choppers

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

1000

AC motor control

Temperature and lighting controls

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20 V, V_DS= 0

3.0

5.0 V

100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 2

T = 25°C

T_J^J= 125°C

100 µA

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

2 mA

mounting

Space savings

R_DS(on)

0.39 Ω

High power density

98598B (8/02)

12 3 4

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IXFX24N100 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT10040B2VFRG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT10045B2FLLG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT10040B2VRG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXFX24N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX24N100F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFX24N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX24N100Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IXFX24N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX250N10P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFX250N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
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