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IXFX240N15T2

更新时间： 2024-11-18 05:39:55

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6页	180K
描述
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFX240N15T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, PLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	240 A	最大漏极电流 (ID)：	240 A
最大漏源导通电阻：	0.0052 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX240N15T2 数据手册

Advance Technical Information

GigaMOS^TMTrenchT2

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 240A

R_DS(on)≤ 5.2mΩ

IXFK240N15T2

IXFX240N15T2

t_rr

≤ 140ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

150

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

240

160

600

I_A

E_AS

T_C= 25°C

120

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

1250

G = Gate

= Drain

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zAvalanche Rated

20..120 /4.5..27

Low R_DS(on)

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150

2.5

5.0

Synchronous Recification

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

± 200 nA

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

25 μA

3 mA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

4.1

5.2 mΩ

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100191(09/09)

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