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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.5 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.44 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTX24N100 | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXFK24N100Q3 | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFX24N120Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFX24N90Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
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| IXFX250N10P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFX250N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFX25N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFX260N17T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFX26N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFX26N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFX26N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFX26N60Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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