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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 7.96 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 4000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 735 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFX30N110P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFX30N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFX320N17T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFX320N17T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFX32N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFX32N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFX32N100Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFX32N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFX32N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFX32N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
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