IXFX24N90Q

更新时间： 2024-02-28 22:43:51

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS

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IXFX24N90Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.45 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX24N90Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-CLASS

IXFK 24N90Q

IXFX 24N90Q

V_DSS

I_D25

900 V

24 A

R_DS(on)= 0.45 W

Single MOSFET Die

t_rr£ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQg,

High dV/dt, Low t_rr

PLUS247^TM(IXFX)

Preliminary data sheet

(TAB)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

900

TO-264AA(IXFK)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

^lIXYS advanced low Q_gprocess

^lLow gate charge and capacitances

- easier to drive

P_D

T_J

T_C= 25°C

500

-55 ... +150

°C

- faster switching

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

^lInternational standard packages

^lLow R_{DS (on)}

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

^lRated for unclamped Inductive load

switching (UIS)

M_d

Mounting torque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

rated

Weight

PLUS 247

TO-264

^lMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

power supplies

DC choppers

^lAC motor control

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

900

2.5

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

4.5 V

Temperature and lighting controls

I_GSS

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100 mA

2 mA

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

T_J= 125°C

mounting

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

0.45 W

High power density

98679B (08/00)

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IXFX24N90Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX26N90	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK24N90Q	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
STW21N90K5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 900 V, 0.25 Î© typ., 18.5 A Zener-p

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFX26N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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