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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 208K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFX240N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX240N25X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX24N100 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs | |
IXFX24N100 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFX24N100F | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFX24N100Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX24N100Q3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXFX24N120Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFX24N90Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS | |
IXFX250N10P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET |