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IXTK160N20

更新时间： 2024-11-05 19:10:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	565K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 200V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN

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IXTK160N20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	160 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	640 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTK160N20 数据手册

Advance Technical Information

IXTK 160N20

V_DSS= 200 V

High Current

MegaMOS^TMFET

I_D25

= 160 A

R_DS(on)= 13 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

Testconditions

Maximum ratings

TO-264AA(IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

200

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

= 25°C MOSFET chip capability

160

E^Cxternal lead current limit

= 25°C, pulse width limited by T_JM

640

I_AR

T^C_C= 25°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

4.0

T^C_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

730

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

0.7/6

°C

Nm/lb.in.

•Low R

HDMOS^TMprocess

•Rugge^Dd^Sp^(ooⁿl⁾ysilicongatecellstructure

•Internationalstandardpackage

•Fastswitchingtimes

M_d

Weight

TO-264

Applications

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

•Motorcontrols

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

•DC choppers

•Switched-mode power supplies

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

200

Advantages

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

2.0

4.0

±200 nA

•Easy to mount with one screw

(isolatedmountingscrewhole)

•Space savings

I_DSS

V_DS= V

T = 25°C

50 µA

3 mA

V_GS= 0 ^DV^SS

T_J^J= 125°C

•High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I = 0.5 I

13 mΩ

Pulse test, t ≤^D300 ms^D,²d⁵uty cycle d ≤ 2%

DS99014A(01/04)

12 3 4 5

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IXTK160N20 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK170N20P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFX170N20P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiperFET

与IXTK160N20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTK170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK170P10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTK17N120L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTK180N15	IXYS	获取价格	High Current MegaMOSTMFET
IXTK180N15P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTK180N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK200N10L2	IXYS	获取价格	Linear L2 Power MOSFET w/ Extended FBSOA
IXTK200N10L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTK200N10P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET
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