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力特 - LITTELFUSE | 开关 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 161K | |
描述 | ||
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.22 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTK200N10P | IXYS |
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PolarHTTM Power MOSFET | |
IXTK200N10P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTK20N140 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
IXTK20N150 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTK20N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTK210P10T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, | |
IXTK210P10T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTK21N100 | IXYS |
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High Voltage MegaMOSTMFETs | |
IXTK22N100L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTK22N100L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |