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IXTK180N15 PDF预览

IXTK180N15

更新时间： 2024-11-04 22:11:03
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
High Current MegaMOSTMFET

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IXTK180N15 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-264AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.74雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：560 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTK180N15 数据手册

 浏览型号IXTK180N15的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
IXTK 180N15  
VDSS = 150 V  
ID25 = 180 A  
RDS(on) = 10 mΩ  
High Current  
MegaMOSTMFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Symbol  
Testconditions  
Maximum ratings  
TO-264AA(IXTK)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
150  
150  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1.0 MΩ  
VGS  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
VGSM  
D (TAB)  
G
ID25  
ID(RMS)  
IDM  
TC = 25°C MOSFET chip capability  
External leadcurrentlimit  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
180  
75  
720  
90  
A
D
S
A
A
A
IAR  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
Tab = Drain  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
64  
3.  
mJ  
0
J
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
5
V/ns  
PD  
TJ  
TC = 25°C  
560  
W
-55 ... +150  
°C  
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
Features  
TL  
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s  
Mountingtorque  
300  
0.7/6  
10  
°C  
Nm/lb.in.  
g
• Low RDS (on) HDMOSTM process  
• Ruggedpolysilicongatecellstructure  
• Internationalstandardpackage  
• Fastswitchingtimes  
Md  
Weight  
TO-264  
Applications  
Symbol Test Conditions  
Characteristic Values  
• Motorcontrols  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
• DC choppers  
• Switched-mode power supplies  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
150  
2.  
V
Advantages  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
VGS = 20 V DC, VDS = 0  
0
4.  
0
V
200 nA  
• Easy to mount with one screw  
(isolatedmountingscrewhole)  
• Space savings  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
50 µA  
3
mA  
• High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, I = 0.5 ID25  
10 mΩ  
Pulse test, t ≤D300 ms, duty cycle d ≤ 2%  
© 2002 IXYS All rights reserved  
98878A (02/02)  
12

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