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IXTK200N10P

更新时间： 2024-03-12 21:01:44

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	229K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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PolarHT^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100 V

I_D25= 200 A

R_DS(on)≤ 7.5 mΩ

IXTK 200N10P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-264 (IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

100

100

V

V

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

V

V

G

I_D25

T_C=25° C

200

75

A

A

A

D

(TAB)

S

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

400

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_AR

T_C=25° C

60

A

E_AR

E_AS

T_C=25° C

T_C=25° C

100

4

mJ

J

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

,

10

V/ns

Features

T_C=25° C

800

W

l

International standard package

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

°C

°C

l

l

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

°C

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

10

Advantages

Weight

g

l

Easy to mount

Space savings

l

l

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 500µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

V

V

2.5

5.0

200

nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25

250

µA

µA

T_J= 150° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

V_GS= 15 V, I_D= 400A

7.5 mΩ

mΩ

5.5

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99186E(10/05)

© 2006 IXYS All rights reserved

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTK20N140	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格
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IXTK20N150	LITTELFUSE	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉	获取价格
IXTK210P10T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,	获取价格
IXTK210P10T	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
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