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IXTK20N150

更新时间： 2024-11-18 21:10:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	143K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

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IXTK20N150 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-264, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTK20N150 数据手册

High Voltage Power

MOSFETs w/ Extended

FBSOA

V_DSS

I_D25

R_DS(on)< 1Ω

= 1500V

= 20A

IXTK20N150

IXTX20N150

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Guaranteed FBSOA

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

PLUS247 (IXTX)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

2.5

E_AS

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

Tab

P_D

T_C= 25°C

1250

T_J

-55 to +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 to +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Avalanche Rated

Weight

TO-264

PLUS247

Fast Intrinsic Diode

Guaranteed FBSOA at 75°C

Low Package Inductance

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1500

2.5

Easy to Mount

Space Savings

4.5

±200 nA

I_DSS

50 µA

Applications

T_J= 125°C

750 µA

High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge

Pulse Circuits

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

Ω

DS100424B(11/12)

12 3 4 5

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IXTK20N150 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTX20N150	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTK210P10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK21N100	IXYS	获取价格	High Voltage MegaMOSTMFETs
IXTK22N100L	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK22N100L	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IXTK240N075L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
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