5秒后页面跳转

Datasheet > IXTK170N10P

IXTK170N10P PDF预览

IXTK170N10P

更新时间： 2023-12-06 20:13:16

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	192K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTK170N10P 数据手册

浏览型号IXTK170N10P的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXTK170N10P的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXTK170N10P的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXTK170N10P的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IXTK170N10P的Datasheet PDF文件第6页

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 170A

R_DS(on)≤ 9mΩ

IXTT170N10P

IXTQ170N10P

IXTK170N10P

TO-268 (IXTT)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

G

S

Tab

TO-3P (IXTQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

100

100

V

V

V

V

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

G

D

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

S

Tab

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

170

160

A

A

TO-264 (IXTK)

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

350

A

I_A

T_C= 25°C

T_C= 25°C

60

2

A

J

E_AS

G

Tab

D

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

10

V/ns

W

S

T_C= 25°C

715

T_J

-55 to +175

+175

°C

°C

°C

G = Gate

S = Source

D

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 to +175

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

T_SOLD

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-264 & TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-3P

TO-264

4.0

5.5

10.0

g

g

g

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

V

V

5.0

Applications

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

250 μA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 15V, I_D= 350A

9 mΩ

mΩ

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

7

© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS99176F(01/10)

12 3 4 5 6

下载PDF

与IXTK170N10P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTK170P10P	LITTELFUSE	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(	获取价格
IXTK17N120L	LITTELFUSE	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是	获取价格
IXTK180N15	IXYS	High Current MegaMOSTMFET	获取价格
IXTK180N15P	IXYS	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTK180N15P	LITTELFUSE	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格
IXTK200N10L2	IXYS	Linear L2 Power MOSFET w/ Extended FBSOA	获取价格

与IXTK170N10P相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证