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IXTK17N120L

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
6页	181K
描述
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是因为同时发生高漏极电压和电流；这些极端应力会造成普通设备出现故障。 IXYS Linear MOSFET旨

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IXTK17N120L 数据手册

Linear^TMPower MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS

I_D25

= 1200V

= 17A

IXTK17N120L

IXTX17N120L

R_DS(on)< 900mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Guaranteed FBSOA

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1200

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

PLUS247 (IXTX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

8.5

2.5

Tab

P_D

T_C= 25°C

700

T_J

-55...+150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55...+150

T_L

1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

Features

T_SOLD

^zDesigned for Linear Operations

^zGuaranteed FBSOA at 60ºC

^zAvalanche Rated

^zLow R_DS(on)HDMOS^TMProcess

^zMolding Epoxies Meet UL94 V-0

Flammability Classification

M_d

F_C

Mounting torque (IXTK)

Mounting Force (IXTX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 / 4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1200

3.0

Applications

6.0

^zProgrammable Loads

^zCurrent Regulators

^zDC-DC Convertors

^zBattery Chargers

^zDC Choppers

^zTemperature and Lighting Controls

±200 nA

I_DSS

50 μA

2 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 0.5 • I_DSS, Note 1

900 mΩ

DS99615B(05/10)

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