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IXFX230N20T

更新时间： 2024-11-03 14:53:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	203K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFX230N20T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXFX230N20T 数据手册

GigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 230A

R_DS(on) 7.5m

IXFK230N20T

IXFX230N20T

t_rr

 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

200

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

230

160

630

I_A

E_AS

T_C= 25C

100

Tab

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 175°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

1670

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

C

Features

^International Standard Packages

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

^Avalanche Rated

20..120 /4.5..27



Low R_DS(on)

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

^Synchronous Recification

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

^Switched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^DC Choppers

^AC Motor Drives

3.0

5.0

200 nA

I_DSS

50 A

3 mA

T_J= 150C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

7.5 m

^Uninterruptible Power Supplies

^High Speed Power Switching

Applications

DS100133B(04/14)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFX240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFX240N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX240N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX24N100	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFX24N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX24N100F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFX24N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX24N100Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFX24N120Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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