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IXFX180N15P

更新时间： 2024-11-02 11:14:07
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IXYS /
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5页 178K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFX180N15P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：PLUS247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.64
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：4000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：180 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：380 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IXFX180N15P 数据手册

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PolarTM HiPerFET  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Fast Intrinsic Diode  
VDSS = 150 V  
ID25 = 180 A  
IXFK 180N15P  
IXFX 180N15P  
RDS(on) ≤ 11 m Ω  
trr  
≤ 200 ns  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
150  
150  
V
V
VDS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-264 (IXFK)  
ID25  
TC =25° C  
180  
75  
A
A
A
ID(RMS)  
IDM  
External lead current limit  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
380  
IAR  
TC =25° C  
60  
A
G
D
S
TAB  
EAR  
EAS  
TC =25° C  
TC =25° C  
100  
4
mJ  
J
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤150° C, RG = 4 Ω  
10  
V/ns  
PLUS247 (IXFX)  
TC =25° C  
830  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
TAB  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
Md  
Fc  
Mounting torque  
Mounting Force  
(IXFK)  
(IXFX)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
20..120/4.5..25  
N/lb  
Weight  
TO-264 (IXFK)  
PLUS247 (IXFX)  
10  
6
g
g
Features  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
l
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
(TJ = 25° C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
l
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
150  
V
V
l
2.5  
5.0  
200  
nA  
Advantages  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
TJ = 150° C  
l
Easy to mount  
Space savings  
l
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Note 1  
11 mΩ  
l
High power density  
DS99218E(01/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
12345

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IXFX180N15P 替代型号

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