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IXFX210N30X3

更新时间： 2024-11-21 20:59:43

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IXYS		/
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5页	217K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFX210N30X3 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.32	Base Number Matches：	1

IXFX210N30X3 数据手册

Advance Technical Information

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 210A

R_DS(on) 5.5m

IXFK210N30X3

IXFX210N30X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

300

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25C

External Lead Current Limit

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

210

160

650

I_A

T_C= 25C

105

Tab

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

1250

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300



2.5

4.5

Applications

200 nA



I_DSS

25 A

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

2.5 mA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

4.3

5.5 m



Robotics and Servo Controls

DS100864A(11/17)

12 3 4 5

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