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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 206K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFX230N20T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET | |
IXFX230N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFX240N15T2 | IXYS |
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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFX240N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFX240N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX240N25X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX24N100 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs | |
IXFX24N100 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFX24N100F | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFX24N100Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |