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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, PLUS247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.55 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 170 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 220 A | 最大漏极电流 (ID)： | 220 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0063 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 550 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFX210N17T | IXYS |
类似代替  |
GigaMOS Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFX230N20T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFX230N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFX240N15T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFX240N15T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFX240N25X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFX240N25X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFX24N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
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| IXFX24N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFX24N100F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs |
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| IXFX24N100Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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