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IXTK140N30P

更新时间： 2024-11-18 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	115K
描述
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 300V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

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IXTK140N30P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.34
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	140 A	最大漏极电流 (ID)：	140 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1040 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTK140N30P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 140A

R_DS(on)≤ 24mΩ

IXTK140N30P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

300

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

(TAB)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Terminal Current Limit

140

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

300

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

1040

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zFast intrinsic diode

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_SOLD

M_d

Mounting torque

TO-264

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 500μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

300

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

3.0

5.0

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

± 200 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

T_J= 125°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

24 mΩ

DS99980(5/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK140N30P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX140N30P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTK150N15P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTK150N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK160N20	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 200V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK160N20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 200V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK170P10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
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