5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFX14N100
IXFX14N100 PDF预览

IXFX14N100

更新时间： 2024-11-04 22:11:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFX14N100 数据手册

 浏览型号IXFX14N100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFX14N100的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFX14N100的Datasheet PDF文件第4页 
HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFH/IXFT/IXFX14N100 1000 V  
IXFH/IXFT/IXFX15N100 1000 V  
14 A 0.75 W  
15 A 0.70 W  
trr £ 200 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family  
Preliminarydatasheet  
TO-247 AD  
(IXFH)  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW  
1000  
1000  
V
V
(TAB)  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247TM  
(IXFX)  
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
14N100  
15N100  
14N100  
15N100  
14N100  
15N100  
14  
15  
56  
60  
14  
15  
A
A
A
A
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
(TAB)  
(TAB)  
G
D
EAR  
TC = 25°C  
45  
5
mJ  
TO-268 (D3)  
(IXFT)  
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
V/ns  
PD  
TJ  
TC = 25°C  
360  
W
G
S
-55 ... +150  
°C  
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
Features  
● Internationalstandardpackages  
● Low RDS (on) HDMOSTM process  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mountingtorque  
300  
°C  
● Rugged polysilicon gate cell structure  
● UnclampedInductiveSwitching(UIS)  
rated  
● Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
● Fast intrinsic Rectifier  
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
6
g
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Applications  
●
DC-DC converters  
Battery chargers  
Switched-modeandresonant-mode  
●
min. typ. max.  
●
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
1000  
2.5  
V
V
powersupplies  
DC choppers  
● AC motor control  
●
VGS(th)  
4.5  
●
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±100 nA  
250 mA  
Temperatureandlightingcontrols  
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
Advantages  
●
1
mA  
Easy to mount with 1 screw (TO-247)  
(isolated mounting screw hole) or  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
14N100  
15N100  
0.75  
0.70  
W
W
mounting clip or spring (PLUS 247TM)  
●
Highpowersurfacemountablepackage  
High power density  
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
●
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
97535B(1/99)  
1 - 4  
1234

中文翻译

下载PDF

IXFX14N100 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXFH15N100P IXYS

类似代替

 Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX15N100 IXYS

类似代替

 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT15N100Q IXYS

功能相似

 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

与IXFX14N100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFX150N15 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFX150N15 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFX150N30P3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFX150N30P3 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFX15N100 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFX160N30T IXYS

获取价格

 		GigaMOS Power MOSFET
IXFX160N30T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX16N90 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFX16N90Q IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 900V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFX170N20P IXYS

获取价格

 		Polar Power MOSFET HiperFET

与IXFX14N100相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证