生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 900 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 16 A | 最大漏极电流 (ID): | 16 A |
最大漏源导通电阻: | 0.65 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 360 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 64 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFX16N90Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 900V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFX170N20P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiperFET | |
IXFX170N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFX170N20T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET | |
IXFX170N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFX1806 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 500V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFX180N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFX180N07 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFX180N085 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFX180N10 | IXYS |
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Single MOSFET Die |