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IXFX12N90Q

更新时间： 2024-02-07 09:17:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	146K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS247, 3 PIN

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IXFX12N90Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX12N90Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q Class

IXFH 12N90Q V_DSS

IXFT 12N90Q I_D25

IXFX 12N90Q R_DS(on)

= 900 V

= 12 A

= 0.9 Ω

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

t_rr≤ 200 ns

Low Q_g,High dv/dt

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

900

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C,

PLUS 247 (IXFX)

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

I_AR

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

300

TO-268 (D3) ( IXFT)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

(TAB)

M_d

Mounting torque

Mounting Force

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

(PLUS 247)

20...120/4.5...27N/lbs

Weight

TO-247, PLUS 247

TO-268

Features

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

IXYS advanced low Q_gprocess

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

min.

typ.

max.

- faster switching

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

900

International standard packages

Low R_{DS (on)}

V_GS(th)

2.5

5.5

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

µA

T_J^J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.9

Ω

Easy to mount

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Space savings

High power density

98572A(04/03)

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IXFX12N90Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH12N90P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH12N100Q	IXYS	类似代替	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFT12N90Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q Class

与IXFX12N90Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX140N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFX140N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX140N30P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX140N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX14N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX150N15	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX150N15	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX150N30P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX150N30P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX15N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs

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