IXFH12N90P

更新时间： 2024-11-02 11:13:59

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	178K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFH12N90P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.31
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	380 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH12N90P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

IXFH12N90P

IXFV12N90P

IXFV12N90PS

V_DSS= 900V

I_D25= 12A

R_DS(on)≤ 900mΩ

≤ 300ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

PLUS220 (IXFV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

900

D (TAB)

V_DGR

PLUS220SMD (IXFV_S)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

D (TAB)

E_AS

500

TO-247 (IXFH)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

380

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

D (TAB)

-55 ... +150

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

T_SOLD

M_d

Mounting torque (TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

F_C

11..65/2.5..14.6

Features

^zInternational standard packages

^zAvalanche Rated

^zLow package inductance

^zFast intrinsic diode

Weight

TO-247

PLUS220 types

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

900

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

Applications:

6.5

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

± 100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

1 mA

^zDC-DC Converters

T_J= 125°C

^zLaser Drivers

^zAC and DC motor drives

^zRobotics and servo controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

900 mΩ

DS100056(10/08)

12 3 4

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IXFH12N90P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX12N90Q	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFH12N100Q	IXYS	类似代替	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFT12N90Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q Class

与IXFH12N90P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH12N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q Class
IXFH12N90Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH130N15X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH130N15X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH13N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH13N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH13N50	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH13N65	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH13N65	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFH13N80	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs

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