IXFH12N100Q

更新时间： 2024-01-27 23:03:03

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描述
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class

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IXFH12N100Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH12N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q Class

V_DSSI_D25R_DS(on)

IXFH/IXFT12N100Q

IXFH/IXFT10N100Q

1000 V12 A 1.05 Ω

1000 V10 A 1.20 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

Low Q_g,High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

12N100Q

10N100Q

12N100Q

10N100Q

T_C= 25°C,

TO-268 (D3) ( IXFT)

pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25°C

12N100Q

10N100Q

E_AR

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-247 AD

TO-268

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

- faster switching

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

1000

V_GS(th)

2.5

5.5

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

µA

T_J^J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

12N100Q

10N100Q

1.05

1.20

Ω

High power density

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

97539D(12/02)

12 3 4

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IXFH12N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX12N90Q	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFH12N90P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
STW11NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Pr

与IXFH12N100Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH12N100QS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFH12N120	IXYS	获取价格	High Voltage HiPerFET Power MOSFET
IXFH12N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH12N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH12N50	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH12N50F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFH12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFH12N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH12N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH12N90	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs

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